IPD90N06S4-07. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD90N06S4-07

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0069 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD90N06S4-07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N06S4-07 даташит

 ..1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-07 ipd90n06s4-07 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-07

IPD90N06S4-07 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 6.9 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra Low RDSon Type Package Marking IPD90N04S6-07 PG-TO252-3-11

 2.1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-07

IPD90N06S4-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 3.8 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604 Maximum ratings, a

 2.2. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-05 ipd90n06s4-05 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-07

IPD90N06S4-05 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 5.1 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra Low RDSon Type Package Marking IPD90N04S6-05 PG-TO252-3-11

 4.1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-07

IPD90N06S4L-03 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 3.5 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSon Type Package Marking IPD90N06S4L-03 P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD90N03S4L-02, IPD90N03S4L-03, IPD90N04S3-04, IPD90N04S3-H4, IPD90N04S4-04, IPD90N04S4L-04, IPD90N06S4-04, IPD90N06S4-05, SI2302, IPD90N06S4L-03, IPD90N06S4L-05, IPD90N06S4L-06, IPD90P03P4-04, IPD90P03P4L-04, IPD031N03LG, IPD031N06L3G, IPD034N06N3G