Справочник MOSFET. IPD90N06S4-07

 

IPD90N06S4-07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD90N06S4-07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0069 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD90N06S4-07

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N06S4-07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-07 ipd90n06s4-07 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-07

IPD90N06S4-07OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 6.9mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra Low RDSonType Package MarkingIPD90N04S6-07 PG-TO252-3-11

 2.1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-07

IPD90N06S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.8mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604Maximum ratings, a

 2.2. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-05 ipd90n06s4-05 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-07

IPD90N06S4-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 5.1mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra Low RDSonType Package MarkingIPD90N04S6-05 PG-TO252-3-11

 4.1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-07

IPD90N06S4L-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.5mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSonType Package MarkingIPD90N06S4L-03 P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD90N03S4L-02 , IPD90N03S4L-03 , IPD90N04S3-04 , IPD90N04S3-H4 , IPD90N04S4-04 , IPD90N04S4L-04 , IPD90N06S4-04 , IPD90N06S4-05 , IRFZ46N , IPD90N06S4L-03 , IPD90N06S4L-05 , IPD90N06S4L-06 , IPD90P03P4-04 , IPD90P03P4L-04 , IPD031N03LG , IPD031N06L3G , IPD034N06N3G .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.