Справочник MOSFET. IPD90P03P4L-04

 

IPD90P03P4L-04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD90P03P4L-04
   Маркировка: 4P03L04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 137 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD90P03P4L-04

 

 

IPD90P03P4L-04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  infineon
 ipd90p03p4l-04 ipd90p03p4l-04 ds 10.pdf

IPD90P03P4L-04 IPD90P03P4L-04

IPD90P03P4L-04OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -30 VDSR 4.1mDS(on)I -90 ADFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-11 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Intended for reverse battery protection Type Package Mark

 4.1. Size:165K  infineon
 ipd90p03p4-04 ds 10.pdf

IPD90P03P4L-04 IPD90P03P4L-04

IPD90P03P4-04OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -30 VDSR 4.5mDS(on)I -90 ADFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-11 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90P03P4-04 PG-TO252-3-11 4P0304Maxim

 7.1. Size:129K  infineon
 ipd90p04p4-05 ds 10.pdf

IPD90P03P4L-04 IPD90P03P4L-04

IPD90P04P4-05OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 4.7mDS(on)I -90 ADFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90P04P4-05 PG-TO252-3-313 4P0405Maxi

 7.2. Size:415K  infineon
 ipd90p04p4-05.pdf

IPD90P03P4L-04 IPD90P03P4L-04

IPD90P04P4-05OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryVDS -40 VRDS(on) 4.7mWID -90 AFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflowTab 175C operating temperature Green package (RoHS compliant)13 100% Avalanche testedSourcepin 3Gatepin 1Type Package Marking Drainpin

 7.3. Size:150K  infineon
 ipd90p04p4l-04.pdf

IPD90P03P4L-04 IPD90P03P4L-04

IPD90P04P4L-04OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 4.3mWDS(on)I -90 ADFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90P04P4L-04 PG-TO252-3-313 4P04L04Max

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top