Справочник MOSFET. IPD068N10N3G

 

IPD068N10N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD068N10N3G
   Маркировка: 068N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 646 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD068N10N3G

 

 

IPD068N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  infineon
 ipd068n10n3g.pdf

IPD068N10N3G IPD068N10N3G

IPD068N10N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 6.8 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freq

 3.1. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd068n10n3.pdf

IPD068N10N3G IPD068N10N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD068N10N3,IIPD068N10N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 10

 8.1. Size:678K  infineon
 ipd068p03l3g 20.pdf

IPD068N10N3G IPD068N10N3G

# # &! # #:A0;8;76 355AC6;@9 $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D 11 R U AB7C3E;@9 E7?B7C3EFC7D 7 D R G3>3@5:7 E7DE76R *4 8C77 , A"- 5A?B>;3@E :3>A97@ 8C77 G O R 3BB>;53E;A@D BAH7C ?3@397?7@EType Package Marking 0,/ 1

 8.2. Size:557K  infineon
 ipd068p03l3g.pdf

IPD068N10N3G IPD068N10N3G

IPD068P03L3 GOptiMOSTM P3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS -30 V single P-Channel in DPAKRDS(on),max VGS = 10V 6.8 mW Qualified according JEDEC1) for target applicationsVGS = 4.5V 11.0 175 C operating temperatureID ID -70 A 100% Avalanche tested Pb-free; RoHS compliant, halogen free applications: power managementPG-TO252-3

 8.3. Size:247K  inchange semiconductor
 ipd068p03l3.pdf

IPD068N10N3G IPD068N10N3G

isc P-Channel MOSFET Transistor IPD068P03L3,IIPD068P03L3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION175C operating junction temperatureABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sour

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top