Справочник MOSFET. IPD096N08N3G

 

IPD096N08N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD096N08N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD096N08N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD096N08N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  infineon
ipd096n08n3g.pdfpdf_icon

IPD096N08N3G

IPD096N08N3 GOptiMOS(TM)3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 9.6 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 73 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target

 3.1. Size:439K  infineon
ipd096n08n3.pdfpdf_icon

IPD096N08N3G

# ! ! (TM) #:A0

 3.2. Size:243K  inchange semiconductor
ipd096n08n3.pdfpdf_icon

IPD096N08N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD096N08N3,IIPD096N08N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)9.6mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 80

 9.1. Size:538K  1
ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdfpdf_icon

IPD096N08N3G

Type IPD090N03L G IPF090N03L GIPS090N03L G IPU090N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

Другие MOSFET... IPD068N10N3G , IPD068P03L3G , IPD075N03LG , IPD079N06L3G , IPD082N10N3G , IPD088N04LG , IPD088N06N3G , IPD090N03LG , HY1906P , IPD105N03LG , IPD105N04LG , IPD110N12N3G , IPD122N10N3G , IPD127N06LG , IPD12CN10NG , IPD135N03LG , IPD135N08N3G .

 

 
Back to Top

 


 
.