IPD096N08N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPD096N08N3G
Маркировка: 096N08N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
Тип корпуса: TO252
IPD096N08N3G Datasheet (PDF)
ipd096n08n3g.pdf

IPD096N08N3 GOptiMOS(TM)3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 9.6 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 73 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target
ipd096n08n3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD096N08N3,IIPD096N08N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)9.6mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 80
ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf

Type IPD090N03L G IPF090N03L GIPS090N03L G IPU090N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low
Другие MOSFET... IPD068N10N3G , IPD068P03L3G , IPD075N03LG , IPD079N06L3G , IPD082N10N3G , IPD088N04LG , IPD088N06N3G , IPD090N03LG , HY1906P , IPD105N03LG , IPD105N04LG , IPD110N12N3G , IPD122N10N3G , IPD127N06LG , IPD12CN10NG , IPD135N03LG , IPD135N08N3G .
History: AP6926GMT
History: AP6926GMT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ240N03D | JMTQ240N03A | JMTQ240C03D | JMTQ230N04D | JMTQ220N04D | JMTQ200P03A | JMTQ190N03A | JMTQ170C04D | JMTQ160P03A | JMTQ130P04A | JMTQ130N04D | JMTQ120N04D | JMTQ120N03D | JMTQ120N03A | JMTQ120C03D | JMTQ11DP03A
Popular searches
2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor