IPD400N06NG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPD400N06NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD400N06NG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPD400N06NG даташит
ipd400n06ng.pdf
$ " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features D O >@ 50AB AE8B278=6 2>=D4@B4@A 0=3 AG=2 @42B85820B8>= 4 mW D n) m x O ' 270==4; 4=70=24@?4@0B8=6 B4"+ 2> 0B R C=;4AA >B74@E8A4 A?
ipd400n06n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD400N06N,IIPD400N06N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 40m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 60 V DSS V Ga
ipd40n03s4l-08 ipd40n03s4l-08 ds 1 1.pdf
IPD40N03S4L-08 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 30 V DS R 8.3 mW DS(on),max I 40 A D Features PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD40N03S4L-08 PG-TO252-3-11 4N03L08 M
ipd40dp06nm.pdf
IPD40DP06NM MOSFET D-PAK OptiMOSTM Power Transistor, -60 V Features tab P-Channel Very low on-resistance R DS(on) 100% avalanche tested Normal Level Enhancement mode 1 Pb-free lead plating; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Drain tab Table 1 Ke
Другие IGBT... IPD220N06L3G, IPD230N06LG, IPD230N06NG, IPD250N06N3G, IPD25CN10NG, IPD320N20N3G, IPD33CN10NG, IPD350N06LG, IRFB4227, IPD49CN10NG, IPD50N04S4-08, IPD50N04S4-10, IPD50N04S4L-08, IPD50P04P4L-11, IPD50R399CP, IPD50R520CP, IPD530N15N3G
History: 14N50L-T3P-T | 2SK3919 | 2N6896
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet



