Справочник MOSFET. IPD50N04S4-08

 

IPD50N04S4-08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50N04S4-08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD50N04S4-08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N04S4-08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  infineon
 ipd50n04s4-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S4-08

IPD50N04S4-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 7.9mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S4-08 PG-TO252-3-313 4N0408Maximum ratings,

 3.1. Size:153K  infineon
 ipd50n04s4-10 ipd50n04s4-10 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S4-08

IPD50N04S4-10OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 9.3mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S4-10 PG-TO252-3-313 4N0410Maximum ratings,

 4.1. Size:153K  infineon
 ipd50n04s4l-08 ipd50n04s4l-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S4-08

IPD50N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 7.3mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S4-08 PG-TO252-3-313 4N04L08Maximum rating

 5.1. Size:184K  infineon
 ipd50n04s3-08 ipd50n04s3-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S4-08

IPD50N04S3-08OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 7.5mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S3-08 PG-TO252-3-11 3N0408Max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD230N06NG , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IPD320N20N3G , IPD33CN10NG , IPD350N06LG , IPD400N06NG , IPD49CN10NG , IRFB4227 , IPD50N04S4-10 , IPD50N04S4L-08 , IPD50P04P4L-11 , IPD50R399CP , IPD50R520CP , IPD530N15N3G , IPD600N25N3G , IPD60R1K4C6 .

History: IRF6608 | 2SK1573 | TW2203FL-Y | 2SK3117 | CEP16N10 | 2SK2827-01

 

 
Back to Top

 


 
.