IPD65R380C6. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPD65R380C6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD65R380C6
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPD65R380C6 даташит
ipd65r380c6 ipi65r380c6 ipb65r380c6 ipp65r380c6 ipa65r380c6.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPx65R380C6 Data Sheet Rev. 2.1, 2011-02-17 Rev. 2.2, 2013-07-31 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPD65R380C6, IPI65R380C6 IPB65R380C6, IPP65R380C6 IPA65R380C6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MO
ipd65r380c6.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R380C6,IIPD65R380C6 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.38 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching Very high commutation ruggedness ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
ipd65r380c62.1.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPx65R380C6 Data Sheet Rev. 2.1, 2011-02-17 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPD65R380C6, IPI65R380C6 IPB65R380C6, IPP65R380C6 IPA65R380C6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed accord
Другие IGBT... IPD60R520CP, IPD60R600C6, IPD60R600CP, IPD60R600E6, IPD60R750E6, IPD60R950C6, IPD640N06LG, IPD64CN10NG, K4145, IPD65R380E6, IPD65R600C6, IPD65R600E6, IPD65R660CFD, IPD70P04P4-09, IPD75N04S4-06, IPD78CN10NG, IPD800N06NG
History: FDAF75N28
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747




