Справочник MOSFET. IPD65R660CFD

 

IPD65R660CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD65R660CFD
   Маркировка: 65F6660
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD65R660CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4455K  infineon
ipw65r660cfd ipb65r660cfd ipi65r660cfd ipa65r660cfd ipp65r660cfd ipd65r660cfd.pdfpdf_icon

IPD65R660CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPx65R660CFDData SheetRev. 2.4FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPW65R660CFD, IPB65R660CFD, IPP65R660CFDIPA65R660CFD, IPD65R660CFD, IPI65R660CFDTO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for hi

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
ipd65r660cfd.pdfpdf_icon

IPD65R660CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R660CFD,IIPD65R660CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.66Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

 0.1. Size:1385K  infineon
ipd65r660cfda.pdfpdf_icon

IPD65R660CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCFDA Automotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPD65R660CFDA Data SheetRev. 2.1FinalAutomotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPD65R660CFDADPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered

 7.1. Size:2158K  infineon
ipd65r600c6 ipi65r600c6 ipb65r600c6 ipp65r600c6 ipa65r600c6.pdfpdf_icon

IPD65R660CFD

MOSFET+ =L9D - PA;%'*H (>E4@ +@0=A8AB>@ "( ) "(" ) "( ) "(( ) IPA65R600C61 Descriptin!GGD+ - 1Y AK 9 J=NGDMLAGF9JQ L=;@FGDG?Q >GJ @A?@ NGDL9?= HGO=J+ - 1$#2K

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STD44N4LF6 | RU6Z5R | KP737B | ZVN2120G

 

 
Back to Top

 


 
.