IPG20N04S4L-07 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IPG20N04S4L-07 📄📄
Маркировка: 4N04L07
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
Тип корпуса: TDSON84
📄📄 Копировать ⓘ
Аналог (замена) для IPG20N04S4L-07
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPG20N04S4L-07 даташит
ipg20n04s4l-07 ds 1 0.pdf
IPG20N04S4L-07 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS 4) 7.2 mW R DS(on),max I 20 A D Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N04S4L-07 PG-TDSON-8-4
ipg20n04s4l-07a.pdf
IPG20N04S4L-07A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max4) 7.2 m ID 20 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Typ
ipg20n04s4l-08 ipg20n04s4l-08 ds 1 0.pdf
IPG20N04S4L-08 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS 4) 8.2 mW R DS(on),max I 20 A D Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N04S4L-08 PG-TDSON-8-4
ipg20n04s4l-11 ds 1 0.pdf
IPG20N04S4L-11 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS 4) 11.6 mW R DS(on),max I 20 A D Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N04S4L-11 PG-TDSON-8-4
Другие IGBT... IPD90N04S4-02, IPD90N04S4-03, IPD90N04S4-05, IPD90P04P4-05, IPD90R1K2C3, IPG20N04S4-08, IPG20N04S4-09, IPG20N04S4-12, 4N60, IPG20N04S4L-08, IPG20N04S4L-11, IPG20N06S2L-35, IPG20N06S2L-50, IPG20N06S2L-65, IPG20N06S4-15, IPG20N06S4L-11, IPG20N06S4L-14
History: IPG20N06S2L-35
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933





