Справочник MOSFET. IPG20N04S4L-07

 

IPG20N04S4L-07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPG20N04S4L-07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: TDSON84
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG20N04S4L-07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  infineon
 ipg20n04s4l-07 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPG20N04S4L-07

IPG20N04S4L-07OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)7.2mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4L-07 PG-TDSON-8-4

 0.1. Size:197K  infineon
 ipg20n04s4l-07a.pdf pdf_icon

IPG20N04S4L-07

IPG20N04S4L-07AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max4) 7.2mID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Typ

 1.1. Size:157K  infineon
 ipg20n04s4l-08 ipg20n04s4l-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPG20N04S4L-07

IPG20N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)8.2mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4L-08 PG-TDSON-8-4

 2.1. Size:156K  infineon
 ipg20n04s4l-11 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPG20N04S4L-07

IPG20N04S4L-11OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)11.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4L-11 PG-TDSON-8-4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.