IPI45N06S4L-08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPI45N06S4L-08
Маркировка: 4N06L08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
trⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IPI45N06S4L-08
IPI45N06S4L-08 Datasheet (PDF)
ipb45n06s4l-08 ipi45n06s4l-08 ipp45n06s4l-08 ipp45n06s4l ipb45n06s4l ipi45n06s4l-08.pdf
IPB45N06S4L-08IPI45N06S4L-08, IPP45N06S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 7.9mDS(on),max I 45 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
ipb45n06s4-09 ipi45n06s4-09 ipp45n06s4-09.pdf
IPB45N06S4-09IPI45N06S4-09, IPP45N06S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 9.2mDS(on),max I 45 ADFeatures N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB45N06S4-09 PG-TO263-
ipp45n04s4l-08 ipb45n04s4l-08 ipi45n04s4l-08.pdf
IPB45N04S4L-08IPI45N04S4L-08, IPP45N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 7.6mDS(on),max I 45 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp
ipb45p03p4l-11 ipi45p03p4l-11 ipp45p03p4l-11.pdf
IPB45P03P4L-11IPI45P03P4L-11, IPP45P03P4L-11OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -30 VDSR (SMD Version) 10.8mDS(on) I -45 ADFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918