IPI052NE7N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPI052NE7N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 805 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IPI052NE7N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI052NE7N3G даташит

 ..1. Size:844K  infineon
 ipp052ne7n3g ipi052ne7n3g.pdf pdf_icon

IPI052NE7N3G

## ! ! # ! ! TM # A0 m D n) m x Q #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC D Q H35

 3.1. Size:835K  infineon
 ipp052ne7n3 ipi052ne7n3.pdf pdf_icon

IPI052NE7N3G

## ! ! # ! ! TM # A0 m D n) m x Q #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC D Q H35

 9.1. Size:1561K  1
 ipi051n15n5.pdf pdf_icon

IPI052NE7N3G

 9.2. Size:781K  infineon
 ipp05cn10n ipp05cn10n ipb05cn10n-g ipi05cn10n-g.pdf pdf_icon

IPI052NE7N3G

IPB05CN10N G IPI05CN10N G IPP05CN10N G 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 5.1 m - @? >2I .) R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' DS(on) I 100 A D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 R DS(on) R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @#- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPI032N06N3G, IPI034NE7N3G, IPI037N06L3G, IPI037N08N3G, IPI040N06N3G, IPI041N12N3G, IPI045N10N3G, IPI04CN10NG, 2N7000, IPI057N08N3G, IPI070N08N3G, IPI072N10N3G, IPI075N15N3G, IPI076N12N3G, IPI086N10N3G, IPI100N04S4-H2, IPI100N08N3G