IPI65R660CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPI65R660CFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IPI65R660CFD
IPI65R660CFD Datasheet (PDF)
ipw65r660cfd ipb65r660cfd ipi65r660cfd ipa65r660cfd ipp65r660cfd ipd65r660cfd.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPx65R660CFDData SheetRev. 2.4FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPW65R660CFD, IPB65R660CFD, IPP65R660CFDIPA65R660CFD, IPD65R660CFD, IPI65R660CFDTO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for hi
ipi65r660cfd.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI65R660CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.66Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while offeringan extremely fast and robust body diode
ipd65r600c6 ipi65r600c6 ipb65r600c6 ipp65r600c6 ipa65r600c6.pdf

MOSFET+ =L9D - PA;%'*H (>E4@ +@0=A8AB>@ "( ) "(" ) "( ) "(( ) IPA65R600C61 Descriptin!GGD+ - 1Y AK 9 J=NGDMLAGF9JQ L=;@FGDG?Q >GJ @A?@ NGDL9?= HGO=J+ - 1$#2K
ipb65r600c6 ipa65r600c6 ipp65r600c6 ipd65r600c6 ipi65r600c6.pdf

MOSFET+ =L9D - PA;%'*H (>E4@ +@0=A8AB>@ "( ) "(" ) "( ) "(( ) IPA65R600C61 Descriptin!GGD+ - 1Y AK 9 J=NGDMLAGF9JQ L=;@FGDG?Q >GJ @A?@ NGDL9?= HGO=J+ - 1$#2K
Другие MOSFET... IPI60R299CP , IPI60R380C6 , IPI60R385CP , IPI60R520CP , IPI60R600CP , IPI65R280C6 , IPI65R380C6 , IPI65R600C6 , IRF2807 , IPI70N04S4-06 , IPI80CN10NG , IPI80N04S4-03 , IPI90R1K0C3 , IPI90R1K2C3 , IPI90R340C3 , IPI90R500C3 , IPI90R800C3 .
History: NCEP090N85QU | NCEP065N10 | SRM4N65TF
History: NCEP090N85QU | NCEP065N10 | SRM4N65TF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l