Справочник MOSFET. IPP100N06S2-05

 

IPP100N06S2-05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP100N06S2-05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP100N06S2-05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  infineon
ipb100n06s2-05 ipp100n06s2-05.pdfpdf_icon

IPP100N06S2-05

IPB100N06S2-05IPP100N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 4.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedT

 3.1. Size:159K  infineon
ipb100n06s2l-05 ipp100n06s2l-05.pdfpdf_icon

IPP100N06S2-05

IPB100N06S2L-05IPP100N06S2L-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 4.4mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avala

 4.1. Size:193K  infineon
ipi100n06s3l-04 ipp100n06s3l-04.pdfpdf_icon

IPP100N06S2-05

IPB100N06S3L-04IPI100N06S3L-04, IPP100N06S3L-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDSR (SMD version) 3.5mDS(on),maxI 100 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Av

 4.2. Size:190K  infineon
ipp100n06s3l-03.pdfpdf_icon

IPP100N06S2-05

IPB100N06S3L-03IPI100N06S3L-03, IPP100N06S3L-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDSR (SMD version) 2.7mDS(on),maxI 100 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Av

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTP30N08MA | 2N4392CSM | TTP118N08A | NTB5404N | TK3A60DA | QS8K13

 

 
Back to Top

 


 
.