IPP80N06S2-H5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPP80N06S2-H5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IPP80N06S2-H5 Datasheet (PDF)
ipb80n06s2-h5 ipp80n06s2-h5 ipp80n06s2-h5 ipb80n06s2-h5.pdf

IPB80N06S2-H5IPP80N06S2-H5OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 5.2mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType
ipp80n06s2-05 ipb80n06s2-05.pdf

IPB80N06S2-05IPP80N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 4.8mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType
ipb80n06s2-08 ipp80n06s2-08 ipi80n06s2-08 ipp80n06s2-08 ipb80n06s2-08 ipi80n06s2-08.pdf

IPB80N06S2-08IPP80N06S2-08, IPI80N06S2-08OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 7.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)
ipb80n06s2-07 ipp80n06s2-07 ipi80n06s2-07 ipp80n06s2-07 ipb80n06s2-07 ipi80n06s2-07.pdf

IPB80N06S2-07IPP80N06S2-07, IPI80N06S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 6.3mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SSM3K04FU | SIHLIZ34G | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF | 2SK610 | MDIS5N50TH
History: SSM3K04FU | SIHLIZ34G | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF | 2SK610 | MDIS5N50TH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a