IPP16CN10LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP16CN10LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0157 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP16CN10LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP16CN10LG даташит

 4.1. Size:545K  infineon
 ipp16cn10l1.pdf pdf_icon

IPP16CN10LG

%% # ! % (>.;?6?@ %>E Features 1 D S ) 5 3@@7> >A9;5 >7H7> 1 7 m . A@ ?3J S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 4 D S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7 S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ S $673> 8AD ;9 8D7CG7@5K EI;F5 ;@9 3@6 EK@5 DA@AGE D75F;8;53F;A@ Type

 5.1. Size:661K  infineon
 ipb16cn10n ipd16cn10n ipi16cn10n ipp16cn10n.pdf pdf_icon

IPP16CN10LG

www.DataSheet4U.com IPB16CN10N G IPD16CN10N G IPI16CN10N G IPP16CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 16 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 53 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified

 5.2. Size:906K  infineon
 ipb16cn10ng ipd16cn10ng ipi16cn10ng ipp16cn10ng.pdf pdf_icon

IPP16CN10LG

$ " " $ " " $ " " $$ " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D 1 Features D 1 m S ) 5 3@@7> @AD?3> >7H7> . A@ ?3J /* S !J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F "* ( D D n) S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7 S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A$. 5A?B>;3@F 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA &! ! 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ S %673> 8AD ;9 8D7CG7@5K EI;F5 ;@9 3@6 EK@5 DA@AGE D7

 5.3. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp16cn10n.pdf pdf_icon

IPP16CN10LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP16CN10N IIPP16CN10N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 16m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP120N06S4-02, IPP120N06S4-H1, IPP126N10N3G, IPP12CN10LG, IPP12CN10NG, IPP139N08N3G, IPP147N03LG, IPP147N12N3G, 50N06, IPP16CN10NG, IPP180N10N3G, IPP200N15N3G, IPP200N25N3G, IPP230N06L3G, IPP260N06N3G, IPP26CN10NG, IPP320N20N3G