IPP50R250CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP50R250CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP50R250CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP50R250CP даташит

 ..1. Size:549K  infineon
 ipp50r250cp.pdf pdf_icon

IPP50R250CP

IPP50R250CP C IMOSTM # A0

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp50r250cp.pdf pdf_icon

IPP50R250CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP50R250CP IIPP50R250CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.25 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 7.1. Size:550K  infineon
 ipp50r299cp.pdf pdf_icon

IPP50R250CP

IPP50R299CP C IMOSTM # A0

 7.2. Size:2146K  infineon
 ipw50r280ce ipp50r280ce.pdf pdf_icon

IPP50R250CP

IPW50R280CE, IPP50R280CE MOSFET PG-TO 247 PG-TO 220 500V CoolMOS CE Power Transistor tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation while representing a co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP230N06L3G, IPP260N06N3G, IPP26CN10NG, IPP320N20N3G, IPP35CN10NG, IPP50CN10NG, IPP50R140CP, IPP50R199CP, AON6414A, IPP50R299CP, IPP50R350CP, IPP50R380CE, IPP50R399CP, IPP50R520CP, IPP530N15N3G, IPP600N25N3G, IPP60R099C6