Справочник MOSFET. IPP60R190C6

 

IPP60R190C6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP60R190C6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP60R190C6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP60R190C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1214K  infineon
ipa60r190c6 ipb60r190c6 ipi60r190c6 ipp60r190c6 ipw60r190c6.pdfpdf_icon

IPP60R190C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R190C6Data SheetRev. 2.3FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R190C6, IPB60R190C6IPI60R190C6, IPP60R190C6IPW60R190C61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
ipp60r190c6.pdfpdf_icon

IPP60R190C6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R190C6IIPP60R190C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.19Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching super junction MOS while notsacrificing ease of use

 0.1. Size:1819K  infineon
ipp60r190c62.1.pdfpdf_icon

IPP60R190C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R190C6 Data SheetRev. 2.1, 2010-02-09Final Industrial & Multimarket600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R190C6, IPB60R190C6IPI60R190C6, IPP60R190C6IPW60R190C61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed accordi

 5.1. Size:851K  infineon
ipw60r190e6 ipp60r190e6 ipa60r190e6.pdfpdf_icon

IPP60R190C6

C lMO e n i t I 1 I 1 I 1 O 47 O O 1 Descriptint bC lMO i e l ti n te n l i lt e p eMO e i ne in t t e pej n ti n ) pin iple n pi neee b In ine n e n l ie C lMO eie mbine t eexpeien e t e le in MO pplie it i l inn ti n e e ltin e i e p i e ll bene it t it in MO ile n t i i in e e e xtemel l it in n n ti nl e m ke it in

Другие MOSFET... IPP600N25N3G , IPP60R099C6 , IPP60R099CP , IPP60R099CPA , IPP60R125C6 , IPP60R125CP , IPP60R160C6 , IPP60R165CP , 5N60 , IPP60R190E6 , IPP60R199CP , IPP60R250CP , IPP60R280C6 , IPP60R280E6 , IPP60R299CP , IPP60R380C6 , IPP60R380E6 .

History: F15F60C3M | TPCA8A09-H | DMN63D8L | IPB083N10N3G | STL9N60M2 | DMG3413L | TF68N80

 

 
Back to Top

 


 
.