IPP60R380C6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP60R380C6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP60R380C6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP60R380C6 даташит

 ..1. Size:1201K  infineon
ipp60r380c6.pdfpdf_icon

IPP60R380C6

MOSFET + =L9D - PA

 ..2. Size:1368K  infineon
ipd60r380c6 ipi60r380c6 ipb60r380c6 ipp60r380c6 ipa60r380c6.pdfpdf_icon

IPP60R380C6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPx60R380C6 Data Sheet Rev. 2.3 Final Power Management & Multimarket 600V C IMOS C6 P wer Transist r IPD60R380C6, IPI60R380C6 IPB60R380C6, IPP60R380C6 IPA60R380C6 1 Descripti n CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
ipp60r380c6.pdfpdf_icon

IPP60R380C6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R380C6 IIPP60R380C6 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.38 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Provide all benefits of a fast switching super junction MOS while not sacrificing ease of use

 5.1. Size:1282K  infineon
ipp60r380e6.pdfpdf_icon

IPP60R380C6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS E6 600V CoolMOS E6 Power Transistor IPx60R380E6 Data Sheet Rev. 2.0, 2010-04-09 Final Industrial & Multimarket 600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R380E6, IPA60R380E6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

Другие IGBT... IPP60R165CP, IPP60R190C6, IPP60R190E6, IPP60R199CP, IPP60R250CP, IPP60R280C6, IPP60R280E6, IPP60R299CP, K4145, IPP60R380E6, IPP60R385CP, IPP60R450E6, IPP60R520C6, IPP60R520CP, IPP60R520E6, IPP60R600C6, IPP60R600CP