IPP65R280C6
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPP65R280C6
Маркировка: 65C6280
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 13.8
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 45
nC
trⓘ -
Время нарастания: 11
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28
Ohm
Тип корпуса:
TO220
Аналог (замена) для IPP65R280C6
IPP65R280C6
Datasheet (PDF)
..3. Size:245K inchange semiconductor
ipp65r280c6.pdf isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R280C6IIPP65R280C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOL
5.2. Size:245K inchange semiconductor
ipp65r280e6.pdf isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R280E6IIPP65R280E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOL
7.1. Size:1646K infineon
ipp65r225c7.pdf MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R225C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R225C7TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
7.2. Size:245K inchange semiconductor
ipp65r225c7.pdf isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R225C7IIPP65R225C7FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.225Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching super junction MOSFEToffering better efficiency,re
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.