IPP65R280C6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPP65R280C6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IPP65R280C6
IPP65R280C6 Datasheet (PDF)
ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf
MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/
ipp65r280c6.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R280C6IIPP65R280C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOL
Другие MOSFET... IPP60R520C6 , IPP60R520CP , IPP60R520E6 , IPP60R600C6 , IPP60R600CP , IPP60R600E6 , IPP60R750E6 , IPP60R950C6 , STP80NF70 , IPP65R280E6 , IPP65R380C6 , IPP65R380E6 , IPP65R600C6 , IPP65R600E6 , IPP65R660CFD , IPP70N04S4-06 , IPP80CN10NG .
History: FDS2170N7 | FDS3670 | APT39M60J | SWN6N70DB | AP3415A | AM9926
History: FDS2170N7 | FDS3670 | APT39M60J | SWN6N70DB | AP3415A | AM9926
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218





