IPP65R280C6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPP65R280C6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IPP65R280C6
IPP65R280C6 Datasheet (PDF)
ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/
ipp65r280c6.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R280C6IIPP65R280C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOL
Другие MOSFET... IPP60R520C6 , IPP60R520CP , IPP60R520E6 , IPP60R600C6 , IPP60R600CP , IPP60R600E6 , IPP60R750E6 , IPP60R950C6 , 20N50 , IPP65R280E6 , IPP65R380C6 , IPP65R380E6 , IPP65R600C6 , IPP65R600E6 , IPP65R660CFD , IPP70N04S4-06 , IPP80CN10NG .
History: HFP13N50S | IPP60R160C6 | NVF2955P | DMN3052LSS
History: HFP13N50S | IPP60R160C6 | NVF2955P | DMN3052LSS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218