Справочник MOSFET. IPS075N03LG

 

IPS075N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPS075N03LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPS075N03LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS075N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1189K  infineon
 ipd075n03lg ipd075n03lg ipf075n03lg ips075n03lg ipu075n03lg.pdf pdf_icon

IPS075N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 4.1. Size:1186K  infineon
 ipd075n03l ips075n03l.pdf pdf_icon

IPS075N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 4.2. Size:555K  infineon
 ipd075n03l ipf075n03l ips075n03l ipu075n03l.pdf pdf_icon

IPS075N03LG

Type IPD075N03L G IPF075N03L GIPS075N03L G IPU075N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very l

Другие MOSFET... IPP90R1K2C3 , IPP90R340C3 , IPP90R500C3 , IPP90R800C3 , IPS031N03LG , IPS040N03LG , IPS050N03LG , IPS060N03LG , AON6380 , IPS090N03LG , IPS105N03LG , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , IPS12CN10LG , IPS135N03LG , IPS50R520CP , IPU039N03LG .

History: VS3625GPMC | MDV1595SURH | AM8N25-550D | FQN1N50CTA | CP650 | VBA3695 | AM2373P

 

 
Back to Top

 


 
.