IPW50R350CP - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IPW50R350CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPW50R350CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IPW50R350CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IPW50R350CP даташит

..1. Size:534K infineon
ipw50r350cp.pdf pdf_icon

IPW50R350CP TM C IMOSTM # A0

..2. Size:243K inchange semiconductor
ipw50r350cp.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPW50R350CP IIPW50R350CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 350m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Peak Current Capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN

7.1. Size:670K infineon
ipw50r399cp.pdf pdf_icon

IPW50R399CP TM C IMOSTM # A0

7.2. Size:243K inchange semiconductor
ipw50r399cp.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPW50R399CP IIPW50R399CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 399m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Peak Current Capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN