IPW90R1K0C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPW90R1K0C3
Маркировка: 9R1K0C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO247
IPW90R1K0C3 Datasheet (PDF)
ipw90r1k0c3.pdf

IPW90R1K0C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ T =25C 900 VDS J Lowest figure-of-merit RON x QgR @ T = 25C 1.0DS(on),max J Extreme dv/dt ratedQ 34 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TO247 Ultra low gate chargeCoolMOS 90
ipw90r1k2c3.pdf

IPW90R1K2C3CIMOS #:A0INU . J6A>;>:9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CIU 2 AIG6 ADL
ipw90r1k2c3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW90R1K2C3IIPW90R1K2C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.2Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag
ipw90r120c3.pdf

IPW90R120C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ T =25C 900 VDS J Lowest figure-of-merit RON x QgR @ T =25C 0.12DS(on),max J Extreme dv/dt ratedQ 270 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Worldwide best R in TO247PG-TO247DS,on
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: BUK9614-60E | GSM4048WS | RJK1055DPB | AO7414 | IXTH31N20MB
History: BUK9614-60E | GSM4048WS | RJK1055DPB | AO7414 | IXTH31N20MB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet