IPW90R1K0C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPW90R1K0C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IPW90R1K0C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW90R1K0C3 даташит

 ..1. Size:548K  infineon
 ipw90r1k0c3.pdf pdf_icon

IPW90R1K0C3

IPW90R1K0C3 CoolMOS Power Transistor Product Summary Features V @ T =25 C 900 V DS J Lowest figure-of-merit RON x Qg R @ T = 25 C 1.0 DS(on),max J Extreme dv/dt rated Q 34 nC g,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant PG-TO247 Ultra low gate charge CoolMOS 90

 6.1. Size:644K  infineon
 ipw90r1k2c3.pdf pdf_icon

IPW90R1K0C3

IPW90R1K2C3 C IMOS # A0IN U . J6A>;> 9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CI U 2 AIG6 ADL

 6.2. Size:243K  inchange semiconductor
 ipw90r1k2c3.pdf pdf_icon

IPW90R1K0C3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW90R1K2C3 IIPW90R1K2C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.2 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltag

 7.1. Size:548K  infineon
 ipw90r120c3.pdf pdf_icon

IPW90R1K0C3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPW60R280E6, IPW60R299CP, IPW65R070C6, IPW65R080CFD, IPW65R280C6, IPW65R280E6, IPW65R660CFD, IPW90R120C3, IRFB4115, IPW90R1K2C3, IPW90R340C3, IPW90R500C3, IPW90R800C3, SPA02N80C3, SPA03N60C3, SPA04N50C3, SPA04N60C3