Справочник MOSFET. SPA04N60C3

 

SPA04N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPA04N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP

 Аналог (замена) для SPA04N60C3

 

 

SPA04N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  infineon
 spp04n60c3 spb04n60c3 spa04n60c3.pdf

SPA04N60C3 SPA04N60C3

SPP04N60C3, SPB04N60C3Final dataSPA04N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargeP-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO

 ..2. Size:588K  infineon
 spp04n60c3 spa04n60c3.pdf

SPA04N60C3 SPA04N60C3

VDS Tjmax G FP G 3 21P-TO220-3-31 G ;-3-111

 8.1. Size:289K  1
 spa04n50c3 spb04n50c3 spp04n50c3.pdf

SPA04N60C3 SPA04N60C3

SPP04N50C3, SPB04N50C3Final dataSPA04N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargeP-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances21P-TO220-3-31 Improved transconductance

 8.2. Size:426K  infineon
 spa04n80c3.pdf

SPA04N60C3 SPA04N60C3

SPA04N80C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 1.3DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 23 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effective capaci

 8.3. Size:255K  inchange semiconductor
 spa04n80c3.pdf

SPA04N60C3 SPA04N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPA04N80C3FEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top