Справочник MOSFET. SPA11N60CFD

 

SPA11N60CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPA11N60CFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA11N60CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  infineon
spa11n60cfd.pdfpdf_icon

SPA11N60CFD

SPA11N60CFDCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 600 VDS New revolutionary high voltage technologyR 0.44 DS(on),max Intrinsic fast-recovery body diode1)11 AID Extremely low reverse recovery charge Ultra low gate chargePG-TO220-3-31 Extreme dv /dt rated High peak current capability Periodic avalanche rated Qualified for

 ..2. Size:200K  inchange semiconductor
spa11n60cfd.pdfpdf_icon

SPA11N60CFD

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SPA11N60CFDFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

 5.1. Size:678K  infineon
spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 spa11n60c3e8185.pdfpdf_icon

SPA11N60CFD

SPP11N60C3SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

 5.2. Size:654K  infineon
spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 e8185 rev.3.2.pdfpdf_icon

SPA11N60CFD

SPP11N60C3SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HFI50N06A | NCEP4085EG | NCEP40T15AK

 

 
Back to Top

 


 
.