Справочник MOSFET. SPB04N60S5

 

SPB04N60S5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPB04N60S5
   Маркировка: 04N60S5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 17.6 nC
   Время нарастания (tr): 30 ns
   Выходная емкость (Cd): 220 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SPB04N60S5

 

 

SPB04N60S5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  infineon
 spb04n60s5.pdf

SPB04N60S5 SPB04N60S5

SPB04N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB04N60S5 PG-TO263 Q67040-S4201 04N60S5Maximum RatingsPar

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb04n60s5.pdf

SPB04N60S5 SPB04N60S5

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB04N60S5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 6.1. Size:304K  infineon
 spp04n60c3 spb04n60c3 spa04n60c3.pdf

SPB04N60S5 SPB04N60S5

SPP04N60C3, SPB04N60C3Final dataSPA04N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargeP-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO

 6.2. Size:423K  infineon
 spb04n60c3.pdf

SPB04N60S5 SPB04N60S5

VDS Tjmax G G

 6.3. Size:258K  inchange semiconductor
 spb04n60c3.pdf

SPB04N60S5 SPB04N60S5

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB04N60C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top