SPB100N03S2-03G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPB100N03S2-03G
Маркировка: PN0303
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 113 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 2450 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SPB100N03S2-03G
SPB100N03S2-03G Datasheet (PDF)
spb100n03s2-03 spb100n03s2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SPB100N03S2-03GOptiMOS TM Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS30 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 3 m Enhancement modeID 100 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)P-TO263 -3 Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/d t rated; Halogen Free according to IEC61249-2-21 MarkingType Package
spp100n06s2-05 spb100n06s2-05.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SPP100N06S2-05SPB100N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.7 m Enhancement modeID 100 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6048PN0605SPB100N06S2-05 P- TO263 -3-2
spp100n08s2l-07 spb100n08s2l-07.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SPP100N08S2L-07SPB100N08S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS75 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 6.5 m Enhancement modeID 100 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N08S2L-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6045PN08L07SPB100N0
spp100n06s2l-05 spb100n06s2l-05.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SPP100N06S2L-05SPB100N06S2L-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.4 m Enhancement modeID 100 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N06S2L-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6043PN06L05SPB100N0
spp100n08s2-07 spb100n08s2-07.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SPP100N08S2-07SPB100N08S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS75 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 6.8 m Enhancement modeID 100 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N08S2-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6044PN0807SPB100N08S2-07 P- TO263 -3-2
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![SPB100N03S2-03G](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SPB100N03S2-03G](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SPB100N03S2-03G](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C