SPB11N60S5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPB11N60S5
Маркировка: 11N60S5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SPB11N60S5
SPB11N60S5 Datasheet (PDF)
spb11n60s5.pdf
SPB11N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking11N60S5SPB11N60S5 PG-TO263 Q67040-S4199Maximum RatingsPar
spb11n60s5.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB11N60S5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo
spb11n60c3.pdf
SPB11N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB11N60C3 PG-TO263 Q67040-S4396 11N60C3Maximum RatingsP
spb11n60c3.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB11N60C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918