Справочник MOSFET. SPD07N60S5

 

SPD07N60S5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD07N60S5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD07N60S5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD07N60S5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:888K  infineon
spd07n60s5 spu07n60s5.pdfpdf_icon

SPD07N60S5

SPU07N60S5SPD07N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technologyID 7.3 A Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252PG-TO252 PG-TO251 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated23 Extreme dv/dt rated3121 Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Packag

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
spd07n60s5.pdfpdf_icon

SPD07N60S5

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD07N60S5,ISPD07N60S5FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.6Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600

 6.1. Size:975K  infineon
spd07n60c3 spu07n60c3.pdfpdf_icon

SPD07N60S5

VDS Tjmax G G

 6.2. Size:245K  inchange semiconductor
spd07n60c3.pdfpdf_icon

SPD07N60S5

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD07N60C3,ISPD07N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.6Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие MOSFET... SPD04N60S5 , SPD04N80C3 , SPD04P10PG , SPD04P10PLG , SPD06N60C3 , SPD06N80C3 , SPD07N20G , SPD07N60C3 , HY1906P , SPD08N50C3 , SPD08P06PG , SPD09P06PLG , SPD15P10PG , SPD15P10PLG , SPD18P06PG , SPD30N03S2L-07G , SPD30N03S2L-10G .

History: AON7532E | SSM4500GM | SI2301CDS | HSS3400A | NVD5117PL | DH60N06

 

 
Back to Top

 


 
.