SPD50N03S2-07G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPD50N03S2-07G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD50N03S2-07G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD50N03S2-07G даташит

 1.1. Size:1181K  infineon
 spd50n03s2-07 .pdf pdf_icon

SPD50N03S2-07G

SPD50N03S2-07 G OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) 7.3 m Enhancement mode ID 50 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) P -TO252-3 Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsy Type Package Marking SPD50N03S2-07 L PN0307

 1.2. Size:1179K  infineon
 spd50n03s2-07.pdf pdf_icon

SPD50N03S2-07G

SPD50N03S2-07 G OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) 7.3 m Enhancement mode ID 50 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) P -TO252-3 Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsy Type Package Marking SPD50N03S2-07 L PN0307

 4.1. Size:1183K  infineon
 spd50n03s2l-06.pdf pdf_icon

SPD50N03S2-07G

SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 6.4 m Logic Level ID 50 A P - TO252 -3 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsy

 4.2. Size:272K  infineon
 spd50n03s2l-06 spd50n03s2l-06t.pdf pdf_icon

SPD50N03S2-07G

SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) 6.4 m Enhancement mode ID 50 A Logic Level PG-TO252-3-11 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPD09P06PLG, SPD15P10PG, SPD15P10PLG, SPD18P06PG, SPD30N03S2L-07G, SPD30N03S2L-10G, SPD30N03S2L-20G, SPD30P06PG, IRF540N, SPD50N03S2L-06G, SPD50P03LG, SPI80N06S-08, SPI07N60C3, SPI07N60S5, SPI07N65C3, SPI08N50C3, SPI08N80C3