SPD50P03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPD50P03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD50P03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD50P03LG даташит

 ..1. Size:628K  infineon
 spd50p03lg.pdf pdf_icon

SPD50P03LG

SPD50P03L G OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features V -30 V DS P-Channel R 7 m DS(on),max Enhancement mode I -50 A D Logic level 175 C operating temperature Avalanche rated PG-TO252-5 dv /dt rated High current rating Pb-free lead-plating, RoHS compliant Package Marking Tape and reel information Lead Free Packing Type SPD50P

 9.1. Size:268K  infineon
 spd50n06s2-14.pdf pdf_icon

SPD50P03LG

SPD50N06S2-14 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 14.4 m Enhancement mode ID 50 A 175 C operating temperature P- TO252 -3-11 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPD50N06S2-14 P- TO252 -3-11 Q67060-S7418 PN0614 Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbo

 9.2. Size:1183K  infineon
 spd50n03s2l-06.pdf pdf_icon

SPD50P03LG

SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 6.4 m Logic Level ID 50 A P - TO252 -3 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsy

 9.3. Size:272K  infineon
 spd50n03s2l-06 spd50n03s2l-06t.pdf pdf_icon

SPD50P03LG

SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) 6.4 m Enhancement mode ID 50 A Logic Level PG-TO252-3-11 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPD15P10PLG, SPD18P06PG, SPD30N03S2L-07G, SPD30N03S2L-10G, SPD30N03S2L-20G, SPD30P06PG, SPD50N03S2-07G, SPD50N03S2L-06G, 50N06, SPI80N06S-08, SPI07N60C3, SPI07N60S5, SPI07N65C3, SPI08N50C3, SPI08N80C3, SPI11N60C3, SPI11N60CFD