SPI11N60S5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPI11N60S5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SPI11N60S5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI11N60S5 даташит

 ..1. Size:472K  infineon
 spp11n60s5 spi11n60s5 spp11n60s5 spi11n60s5 .pdf pdf_icon

SPI11N60S5

SPP11N60S5 SPI11N60S5 Cool MOS Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated 2 Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances 3 2 1 Improved transconductance P-TO220-3-1 Type Package Ordering Code Marking 11N60S5 SPP11N60

 6.1. Size:678K  infineon
 spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 spa11n60c3e8185.pdf pdf_icon

SPI11N60S5

SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

 6.2. Size:937K  infineon
 spi11n60cfd.pdf pdf_icon

SPI11N60S5

SPI11N60CFD C I MOS P wer Transist r VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.44 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO262 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Intrinsic fast-recovery body diode Extreme low reverse recovery charge 0) Qualified for industrial grade applications

 6.3. Size:654K  infineon
 spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 e8185 rev.3.2.pdf pdf_icon

SPI11N60S5

SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPI80N06S-08, SPI07N60C3, SPI07N60S5, SPI07N65C3, SPI08N50C3, SPI08N80C3, SPI11N60C3, SPI11N60CFD, AO3400, SPI11N65C3, SPI12N50C3, SPI15N60C3, SPI15N60CFD, SPI15N65C3, SPI16N50C3, SPI20N60C3, SPI20N60CFD