SPP11N60CFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPP11N60CFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SPP11N60CFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP11N60CFD даташит

 ..1. Size:641K  infineon
 spp11n60cfd.pdf pdf_icon

SPP11N60CFD

SPP11N60CFD C I MOS P wer Transist r VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.44 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Intrinsic fast-recovery body diode Extreme low reverse recovery charge Type Package Ordering C de Marking SPP11N60CF

 ..2. Size:247K  inchange semiconductor
 spp11n60cfd.pdf pdf_icon

SPP11N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP11N60CFD ISPP11N60CFD FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.44 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 5.1. Size:678K  infineon
 spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 spa11n60c3e8185.pdf pdf_icon

SPP11N60CFD

SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

 5.2. Size:654K  infineon
 spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 e8185 rev.3.2.pdf pdf_icon

SPP11N60CFD

SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPP07N60C3, SPP07N60CFD, SPP07N60S5, SPP07N65C3, SPP08N50C3, SPP08N80C3, SPP08P06PH, SPP11N60C3, 5N65, SPP11N60S5, SPP11N65C3, SPP11N80C3, SPP12N50C3, SPP15N60C3, SPP15N60CFD, SPP15N65C3, SPP15P10PG