IRF1324S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF1324S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 340 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00165 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRF1324S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1324S даташит

 ..1. Size:521K  international rectifier
 irf1324lpbf irf1324spbf.pdf pdf_icon

IRF1324S

PD - 97353A IRF1324SPbF IRF1324LPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 24V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.3m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 1.65m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 340A ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynami

 0.1. Size:472K  international rectifier
 auirf1324strl.pdf pdf_icon

IRF1324S

PD - 97483 AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 24V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. 1.3m 175 C Operating Temperature G ID (Silicon Limited) Fast Switching 340A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 195A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qua

 0.2. Size:281K  international rectifier
 irf1324s-7ppbf.pdf pdf_icon

IRF1324S

PD - 97263B IRF1324S-7PPbF HEXFET Power MOSFET D Applications VDSS 24V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 0.8m l Uninterruptible Power Supply max. 1.0m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 429A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 240A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D

 0.3. Size:461K  infineon
 auirf1324s auirf1324l.pdf pdf_icon

IRF1324S

AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features VDSS 24V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.3m Ultra Low On-Resistance max. 1.65m Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 340A Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF1010ZS, IRF1018E, IRF1018ES, IRF1018ESL, IRF1104L, IRF1104S, IRF1324, IRF1324L, AO3400, IRF1324S-7P, IRF1404L, IRF1404S, IRF1404Z, IRF1404ZG, IRF1404ZL, IRF1404ZS, IRF1405