Справочник MOSFET. IRF2804S

 

IRF2804S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF2804S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 270 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF2804S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2804S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  international rectifier
irf2804pbf irf2804spbf irf2804lpbf.pdfpdf_icon

IRF2804S

PD - 95332BIRF2804PbFIRF2804SPbFIRF2804LPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 40Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 2.0ml Lead-FreeGID = 75ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

 ..2. Size:408K  international rectifier
irf2804lpbf irf2804pbf irf2804spbf.pdfpdf_icon

IRF2804S

PD - 95332BIRF2804PbFIRF2804SPbFIRF2804LPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 40Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 2.0ml Lead-FreeGID = 75ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

 ..3. Size:270K  inchange semiconductor
irf2804s.pdfpdf_icon

IRF2804S

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2804SDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6m@V = 10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Provides the designer with an extremely efficient andreliable device for use in a wide variety of applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 0.1. Size:281K  international rectifier
auirf2804strr.pdfpdf_icon

IRF2804S

AUTOMOTIVE GRADE PD -96290AAUIRF2804AUIRF2804SAUIRF2804LFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceV(BR)DSS 40VDl 175C Operating TemperatureRDS(on) typ. 1.5m l Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 2.0m Gl Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited) 270A l Automotive Qualified *SID

Другие MOSFET... IRF1503S , IRF1607 , IRF1902 , IRF2204 , IRF2204L , IRF2204S , IRF2804 , IRF2804L , RFP50N06 , IRF2804S-7P , IRF2805 , IRF2805L , IRF2805S , IRF2807Z , IRF2807ZL , IRF2807ZS , IRF2903Z .

History: UPA602CT

 

 
Back to Top

 


 
.