Справочник MOSFET. IRF2807ZS

 

IRF2807ZS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF2807ZS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 71 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF2807ZS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2807ZS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  international rectifier
irf2807zpbf irf2807zspbf irf2807zlpbf.pdfpdf_icon

IRF2807ZS

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni

 ..2. Size:399K  international rectifier
irf2807zlpbf irf2807zpbf irf2807zspbf.pdfpdf_icon

IRF2807ZS

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
irf2807zs.pdfpdf_icon

IRF2807ZS

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2807ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

 6.1. Size:173K  international rectifier
irf2807z.pdfpdf_icon

IRF2807ZS

PD - 94659IRF2807ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 75V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 9.4m 175C Operating TemperatureG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes th

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.