IRF2907ZS-7P - аналоги и даташиты транзистора

 

IRF2907ZS-7P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF2907ZS-7P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
 

 Аналог (замена) для IRF2907ZS-7P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2907ZS-7P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  international rectifier
 irf2907zs-7ppbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZS-7P

PD - 97031DIRF2907ZS-7PPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating Temperature VDSS = 75Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 3.8mGDescriptionSID = 160AThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)processing techniques and advanced packaging G (

 0.1. Size:293K  international rectifier
 auirf2907zs-7p.pdf pdf_icon

IRF2907ZS-7P

PD - 96321AUTOMOTIVE GRADEAUIRF2907ZS-7PHEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS75Vl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.3.0ml 175C Operating TemperatureGl Fast Switchingmax. 3.8mSl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)ID (Silicon Limited)180A l Lead-Free, RoHS CompliantG (Pin 1)l Automot

 5.1. Size:420K  international rectifier
 irf2907zpbf irf2907zspbf irf2907zlpbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZS-7P

PD - 95489DIRF2907ZPbFIRF2907ZSPbFIRF2907ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 75Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 4.5mGl Lead-FreeID = 160ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achie

 5.2. Size:420K  international rectifier
 irf2907zlpbf irf2907zpbf irf2907zspbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZS-7P

PD - 95489DIRF2907ZPbFIRF2907ZSPbFIRF2907ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 75Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 4.5mGl Lead-FreeID = 160ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF2807ZL , IRF2807ZS , IRF2903Z , IRF2903ZL , IRF2903ZS , IRF2907Z , IRF2907ZL , IRF2907ZS , CS150N03A8 , IRF3007 , IRF3007L , IRF3007S , IRF3205Z , IRF3205ZL , IRF3205ZS , IRF3305 , IRF3515L .

History: IRFP044PBF | BRCS90P03DP

 

 
Back to Top

 


 
.