Справочник MOSFET. IRF3708

 

IRF3708 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3708
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 707 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRF3708

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3708 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  international rectifier
 irf3708pbf irf3708spbf irf3708lpbf.pdf pdf_icon

IRF3708

PD - 95363IRF3708PbFSMPS MOSFET IRF3708SPbFIRF3708LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62Al High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate Impedancel Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ful

 ..2. Size:138K  international rectifier
 irf3708.pdf pdf_icon

IRF3708

PD - 93938BIRF3708SMPS MOSFET IRF3708SIRF3708LApplicationsHEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62A High Frequency Buck Converters forComputer Processor PowerBenefits Ultra-Low Gate Impedance Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Fully Characterized Avalanch

 ..3. Size:277K  international rectifier
 irf3708pbf irf3708spbf.pdf pdf_icon

IRF3708

PD - 95363IRF3708PbFSMPS MOSFET IRF3708SPbFIRF3708LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62Al High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate Impedancel Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ful

 ..4. Size:246K  inchange semiconductor
 irf3708.pdf pdf_icon

IRF3708

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3708 IIRF3708FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 12mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF3704ZCS , IRF3704ZL , IRF3704ZS , IRF3707Z , IRF3707ZCL , IRF3707ZCS , IRF3707ZL , IRF3707ZS , RU6888R , IRF3708S , IRF3709 , IRF3709L , IRF3709S , IRF3709Z , IRF3709ZCS , IRF3709ZL , IRF3709ZS .

History: FDT1600N10A | VS3622AA | SFB044N100C3 | 2SK4151 | AON6530 | HUF76013P3 | CS20N60FA9H

 

 
Back to Top

 


 
.