IRF6614. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF6614

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm

Тип корпуса: DIRECTFET

Аналог (замена) для IRF6614

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6614 даташит

 ..1. Size:268K  international rectifier
irf6614pbf irf6614trpbf.pdfpdf_icon

IRF6614

PD -97090 IRF6614PbF IRF6614TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 40V max 20V max 5.9m @ 10V 7.1m @ 4.5V l Application Specific MOSFETs Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Converters 19nC 6.0nC 1.4nC 5.5nC 9.5nC 1.8V l Low

 ..2. Size:258K  international rectifier
irf6614.pdfpdf_icon

IRF6614

PD -96907B IRF6614 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l Application Specific MOSFETs VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead and Bromide Free 40V max 20V max 5.9m @ 10V 7.1m @ 4.5V l Low Profile (

 8.1. Size:249K  international rectifier
irf6610.pdfpdf_icon

IRF6614

PD - 97012 IRF6610 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (

 8.2. Size:279K  international rectifier
irf6619.pdfpdf_icon

IRF6614

PD - 96917B IRF6619 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

Другие IGBT... IRF6604, IRF6607, IRF6608, IRF6609, IRF6610, IRF6611, IRF6612, IRF6613, IRFP250N, IRF6616, IRF6617, IRF6618, IRF6619, IRF6620, IRF6621, IRF6622, IRF6623