IRF6655. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF6655

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: DIRECTFET

Аналог (замена) для IRF6655

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6655 даташит

 ..1. Size:265K  international rectifier
irf6655.pdfpdf_icon

IRF6655

PD - 96926D IRF6655 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) l Low Profile (

 9.1. Size:250K  international rectifier
irf6641pbf.pdfpdf_icon

IRF6655

PD - 97262 IRF6641TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 200V max 20V max 51m @ 10V l Application Specific MOSFETs Qg tot Qgd Vgs(th) l Ideal for High Performance Isolated Converter 34nC 9.5nC 4.0V Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectifica

 9.2. Size:248K  international rectifier
irf6631.pdfpdf_icon

IRF6655

PD - 97183 IRF6631 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 9.3. Size:249K  international rectifier
irf6610.pdfpdf_icon

IRF6655

PD - 97012 IRF6610 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (

Другие IGBT... IRF6637, IRF6638, IRF6641, IRF6643, IRF6644, IRF6645, IRF6646, IRF6648, CS150N03A8, IRF6662, IRF6665, IRF6668, IRF6674, IRF6678, IRF6691, IRF6706S2, IRF6708S2