IRF6709S2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF6709S2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: DIRECTFET

Аналог (замена) для IRF6709S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6709S2 даташит

 0.1. Size:262K  international rectifier
irf6709s2trpbf.pdfpdf_icon

IRF6709S2

PD - 97328A IRF6709S2TRPbF IRF6709S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

 8.1. Size:268K  1
irf6702m2d.pdfpdf_icon

IRF6709S2

PD - 97540 IRF6702M2DTRPbF IRF6702M2DTR1PbF Applications l Dual Common Drain Control MOSFETs for DirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified) Features VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two discrete high side MOSFETs 30V max 20V max 5.2m @ 10V 8.6m @ 4.5V l Optimized for High Frequency Switching l Low Profile (

 8.2. Size:255K  international rectifier
irf6706s2trpbf.pdfpdf_icon

IRF6709S2

PD - 97485 IRF6706S2TRPbF IRF6706S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

 8.3. Size:303K  international rectifier
irf6708s2trpbf.pdfpdf_icon

IRF6709S2

PD - 96314C IRF6708S2TRPbF IRF6708S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

Другие IGBT... IRF6662, IRF6665, IRF6668, IRF6674, IRF6678, IRF6691, IRF6706S2, IRF6708S2, IRFP250, IRF6710S2, IRF6711S, IRF6712S, IRF6713S, IRF6714M, IRF6715M, IRF6716M, IRF6717M