Справочник MOSFET. IRF6717M

 

IRF6717M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF6717M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET
 

 Аналог (замена) для IRF6717M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6717M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  international rectifier
 irf6717mpbf.pdf pdf_icon

IRF6717M

PD - 97345CIRF6717MPbFIRF6717MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.1. Size:302K  international rectifier
 irf6711spbf.pdf pdf_icon

IRF6717M

PD - 96280IRF6711SPbFIRF6711STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:256K  international rectifier
 irf6714mpbf.pdf pdf_icon

IRF6717M

PD - 96130AIRF6714MPbFIRF6714MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (

 8.3. Size:276K  international rectifier
 irf6715mpbf irf6715mtrpbf.pdf pdf_icon

IRF6717M

PD - 96117CIRF6715MPbFIRF6715MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF6709S2 , IRF6710S2 , IRF6711S , IRF6712S , IRF6713S , IRF6714M , IRF6715M , IRF6716M , 75N75 , IRF6718L2 , IRF6720S2 , IRF6721S , IRF6722M , IRF6722S , IRF6724M , IRF6725M , IRF6726M .

History: SVF13N50S | IPB015N08N5 | UTC654

 

 
Back to Top

 


 
.