Справочник MOSFET. IRF7805ZG

 

IRF7805ZG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7805ZG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7805ZG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7805ZG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  international rectifier
 irf7805zgpbf.pdf pdf_icon

IRF7805ZG

PD - 96253IRF7805ZGPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load6.8m @VGS = 10V30V 18nC Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems.Al Lead-FreeA1 8S Dl Halogen-Free2 7S D3 6BenefitsS Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 4 5G Dl Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8Top Viewl

 6.1. Size:270K  international rectifier
 irf7805z.pdf pdf_icon

IRF7805ZG

PD - 94635BIRF7805ZHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load6.8m:@VGS = 10V30V 18nCSynchronous Buck Converter forApplications in Networking &Computing Systems.AA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage and Curr

 6.2. Size:270K  international rectifier
 irf7805zpbf.pdf pdf_icon

IRF7805ZG

PD - 96011AIRF7805ZPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load6.8m @VGS = 10V30V 18nCSynchronous Buck Converter forApplications in Networking &Computing Systems.Al Lead-FreeA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Vol

 6.3. Size:2271K  kexin
 irf7805z.pdf pdf_icon

IRF7805ZG

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETIRF7805Z (KRF7805Z) FeaturesSOP-8 VDS (V) = 30V ID = 16 A (VGS = 10V) RDS(ON) 6.8m (VGS = 10V)A HEXFET Power MOSFET A1 81.50 0.15S D2 7S D3 6S D4 5G D Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-Source Voltage VGS20 TA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF7749L2 , IRF7759L2 , IRF7769L2 , IRF7779L2 , IRF7799L2 , IRF7805A , IRF7805Q , IRF7805Z , 2N7000 , IRF7807A , IRF7807D1 , IRF7807D2 , IRF7807V , IRF7807VD1 , IRF7807VD2 , IRF7807Z , IRF7809AV .

 

 
Back to Top

 


 
.