BF960S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BF960S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: MACROX
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BF960S Datasheet (PDF)
bf960.pdf

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Res
Другие MOSFET... BF908R , BF908WR , BF909 , BF909A , BF909R , BF909WR , BF910 , BF960 , MMIS60R580P , BF961 , BF963 , BF964 , BF964S , BF965 , BF966 , BF966S , BF980 .
History: FTP02N65B | 6N65KG-TMS2-T | 2N7002DCSM | AP3B026M | CJU4828 | PMZ950UPE | AM90N10-23P
History: FTP02N65B | 6N65KG-TMS2-T | 2N7002DCSM | AP3B026M | CJU4828 | PMZ950UPE | AM90N10-23P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet