Справочник MOSFET. IRF7807Z

 

IRF7807Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7807Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7807Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7807Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  international rectifier
irf7807z.pdfpdf_icon

IRF7807Z

PD - 94707AIRF7807ZHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg(typ.)l Control FET for Notebook Processor Power13.8m:@VGS = 10V30V 7.2nCl Synchronous Rectifier MOSFET forGraphics Cards and POL Converters inNetworking and TelecommunicationSystemsAA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance45G Dl

 ..2. Size:214K  international rectifier
irf7807zpbf.pdfpdf_icon

IRF7807Z

PD - 95211BIRF7807ZPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg(typ.)l Control FET for Notebook Processor Power13.8m @VGS = 10V30V 7.2nCl Synchronous Rectifier MOSFET forGraphics Cards and POL Converters inNetworking and TelecommunicationSystemsAA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4 5G D

 7.1. Size:165K  international rectifier
irf7807d1.pdfpdf_icon

IRF7807Z

PD- 93761IRF7807D1FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET1 8A/S K/Dand Schottky Diode2 7A/S K/D Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC3 6Converters Up to 5A OutputA/S K/D Low Conduction Losses45G K/D Low Switching LossesD Low Vf Schottky RectifierSO-8Top ViewDescriptionThe FETKY family of Co-Pac

 7.2. Size:257K  international rectifier
irf7807trpbf-1 irf7807atrpbf-1.pdfpdf_icon

IRF7807Z

IRF7807TRPbF-1IRF7807ATRPbF-1HEXFET Chip-Set for DC-DC ConvertersAVDS 30 V1 8S DRDS(on) max 2 7S D25 m(@V = 4.5V)GS3 6S DQg (typical) 12 nC4 5G DID 8.3 A(@T = 25C) Top View SO-8AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Co

Другие MOSFET... IRF7805Z , IRF7805ZG , IRF7807A , IRF7807D1 , IRF7807D2 , IRF7807V , IRF7807VD1 , IRF7807VD2 , AO3400 , IRF7809AV , IRF7811AV , IRF7815 , IRF7821 , IRF7828 , IRF7831 , IRF7832 , IRF7834 .

History: BF960S | 2N6782-SM | WMT07N06TS

 

 
Back to Top

 


 
.