IRF7821. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7821
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7821
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7821 даташит
irf7821.pdf
PD - 94579A IRF7821 HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg(typ.) l High Frequency Point-of-Load 30V 9.1mW@VGS= 10V 9.3nC Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. A A 1 8 S D Benefits 2 7 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Ultra-Low Gate Impedance 4 5 G D l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
irf7821pbf.pdf
PD - 95213A IRF7821PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg(typ.) l High Frequency Point-of-Load 30V 9.1mW@VGS= 10V 9.3nC Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. l Lead-Free A A 1 8 S D Benefits 2 7 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Low Gate Charge 4 5 G D l Fully Characterized Avalanche Voltage and Cur
irf7821pbf-1.pdf
IRF7821PbF-1 HEXFET Power MOSFET A VDS 30 V A 1 8 S D RDS(on) max 9.1 m 2 7 S D (@V = 10V) GS 3 6 Qg (typical) 9.3 nC S D ID 4 5 G D 13.6 A (@T = 25 C) A SO-8 Top View Applications l High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Comp
irf7821gpbf.pdf
PD - 96248 IRF7821GPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg(typ.) l High Frequency Point-of-Load 30V 9.1mW@VGS= 10V 9.3nC Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems A A 1 8 S D Benefits 2 7 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Low Gate Charge 4 5 G D l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current SO-8 T
Другие IGBT... IRF7807D2, IRF7807V, IRF7807VD1, IRF7807VD2, IRF7807Z, IRF7809AV, IRF7811AV, IRF7815, SPP20N60C3, IRF7828, IRF7831, IRF7832, IRF7834, IRF7842, IRF7853, IRF7854, IRF7855
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229









