Справочник MOSFET. IRF7828

 

IRF7828 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7828
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7828 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  international rectifier
irf7828pbf.pdfpdf_icon

IRF7828

PD-95214AIRF7828PbFHEXFET Power MOSFET for DC-DC Converters N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction LossesA1 8 Low Switching LossesS D Lead-Free2 7S D3 6S DDescription4 5G DThis new device employs advanced HEXFET PowerMOSFET technology to achieve an unprecedentedbalance of on-resistance an

 ..2. Size:479K  international rectifier
irf7828.pdfpdf_icon

IRF7828

PD - 94602IRF7828HEXFET Power MOSFET for DC-DC Converters N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction LossesA1 8 Low Switching LossesS D2 7S DDescription 3 6S DThis new device employs advanced HEXFET Power4 5G DMOSFET technology to achieve an unprecedentedbalance of on-resistance and gate charge. The

 8.1. Size:214K  international rectifier
irf7820pbf.pdfpdf_icon

IRF7828

IRF7820PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max Qg (typ.)l Synchronous MOSFET for Notebook200V 78m@VGS = 10V 29nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking Systems AA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 10V VGS3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltageand Curr

 8.2. Size:255K  international rectifier
irf7821pbf-1.pdfpdf_icon

IRF7828

IRF7821PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 9.1 m2 7S D(@V = 10V)GS3 6Qg (typical) 9.3 nCS DID 4 5G D13.6 A(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking &Computing Systems.Features BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Comp

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQU4N25TU | NVMFS5C628N | RJK0371DSP | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.