IRF7831. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7831

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF7831

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7831 даташит

 ..1. Size:264K  international rectifier
 irf7831pbf.pdf pdf_icon

IRF7831

PD - 95134B IRF7831PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg (typ.) l High Frequency Point-of-Load 3.6m @VGS = 10V 30V 40nC Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. A A 1 8 S D Benefits 2 7 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Ultra-Low Gate Impedance 4 5 G D l Fully Characterized Avalanche Voltage and Cu

 ..2. Size:264K  international rectifier
 irf7831.pdf pdf_icon

IRF7831

PD - 94636B IRF7831 HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg (typ.) l High Frequency Point-of-Load 3.6m @VGS = 10V 30V 40nC Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. A A 1 8 S D Benefits 2 7 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Ultra-Low Gate Impedance 4 5 G D l Fully Characterized Avalanche Voltage and Curre

 0.1. Size:810K  cn vbsemi
 irf7831tr.pdf pdf_icon

IRF7831

IRF7831TR www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.004 at VGS = 10 V 18 30 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.005 at VGS = 4.5 V 16 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

 8.1. Size:262K  international rectifier
 irf7832pbf.pdf pdf_icon

IRF7831

PD - 95016A IRF7832PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 4.0m @VGS = 10V 30V 34nC l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A A 1 8 S D l Lead-Free 2 7 S D Benefits 3 6 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 4 5 G D l Ultra-Low Gate Impedance SO-8 l Fully Chara

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7807VD1, IRF7807VD2, IRF7807Z, IRF7809AV, IRF7811AV, IRF7815, IRF7821, IRF7828, K4145, IRF7832, IRF7834, IRF7842, IRF7853, IRF7854, IRF7855, IRF7862, IRF8010