IRF7855 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRF7855 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRF7855
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
   Время нарастания (tr): 13 ns
   Выходная емкость (Cd): 440 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF7855

IRF7855 Datasheet (PDF)

..1. Size:613K international rectifier
irf7855pbf.pdf

PD - 97173AIRF7855PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max IDin Isolated DC-DC Converters9.4m:@VGS = 10V60V 12Al Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DCConvertersl Secondary Side SynchronousAARectification Switch for 15Vout1 8S Dl Suitable for 48V Non-Isolated2 7S DSynchron

..2. Size:613K infineon
irf7855pbf.pdf

..3. Size:2316K kexin
irf7855.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETIRF7855 (KRF7855)SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 9.4m (VGS = 10V)A 1.50 0.15A1 8S D2 7S D1 Source 5 Drain6 Drain3 6 2 SourceS D7 Drain3 Source4 8 Drain54 GateG D Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60V Gate

8.1. Size:208K international rectifier
irf7853pbf.pdf

PD - 97069IRF7853PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Primary Side Switch in Bridge TopologyVDSS RDS(on) max ID in Universal Input (36-75Vin) Isolated18m:@VGS = 10V100V 8.3A DC-DC Convertersl Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DCAConvertersA1 8S Dl Secondary Side Synchronous2 7Rectification Switch for 15Vout S Dl Suitable

8.2. Size:226K international rectifier
irf7854pbf.pdf

PD - 97172IRF7854PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Primary Side Switch in Bridge or two-VDSS RDS(on) max IDswitch forward topologies using 48V13.4m:@VGS = 10V80V 10A(10%) or 36V to 60V ETSI range inputs.l Secondary Side SynchronousRectification Switch for 12VoutAl Suitable for 48V Non-Isolated A1 8S D Synchronous Buck DC-DC Applications2 7S D3 6Bene

8.3. Size:208K infineon
irf7853pbf.pdf