Справочник MOSFET. IRF8707G

 

IRF8707G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF8707G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0119 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для IRF8707G

 

 

IRF8707G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  international rectifier
 irf8707gpbf.pdf

IRF8707G IRF8707G

PD - 96264IRF8707GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsABenefitsA1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6l Ultra-Low Gate ImpedanceS D

 ..2. Size:246K  infineon
 irf8707gpbf.pdf

IRF8707G IRF8707G

PD - 96264IRF8707GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsABenefitsA1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6l Ultra-Low Gate ImpedanceS D

 7.1. Size:218K  international rectifier
 irf8707pbf-1.pdf

IRF8707G IRF8707G

IRF8707PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 V AA1 8S DRDS(on) max 11.92 7(@V = 10V) S DGSmRDS(on) max 3 6S D17.5(@V = 4.5V)GS4 5G DQg (typical) 6.2 nCSO-8ID Top View11.0 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingR

 7.2. Size:248K  international rectifier
 irf8707pbf.pdf

IRF8707G IRF8707G

PD - 96118AIRF8707PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsAA1 8BenefitsS Dl Very Low Gate Charge 2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4

 7.3. Size:248K  infineon
 irf8707pbf.pdf

IRF8707G IRF8707G

PD - 96118AIRF8707PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor Power11.9m @VGS = 10V30V 6.2nCl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsAA1 8BenefitsS Dl Very Low Gate Charge 2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: GM7002

 

 

Back to Top