IRF8714G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF8714G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.1 nC
trⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
Тип корпуса: SO8
IRF8714G Datasheet (PDF)
irf8714gpbf.pdf
PD - 96263IRF8714GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAAl Very Low Gate Charge1 8S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Full
irf8714pbf.pdf
PD - 96116IRF8714PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAA1 8l Very Low Gate ChargeS Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Fully
irf8714pbf-1.pdf
IRF8714PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VAA1 8S DRDS(on) max 8.7 m2 7(@V = 10V) S DGSQg (typical) 8.1 nC 3 6S DID 4 514 A G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Powerl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout
irf8714pbf.pdf
PD - 96116IRF8714PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAA1 8l Very Low Gate ChargeS Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Fully
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918